个人简介

2002年毕业于中山大学物理系，获学士学位。2007年毕业于中山大学凝聚态物理专业；2008年-2011年于香港中文大学电子工程系从事博士后工作。2011年作为学术骨干引进到暨南大学物理系从事教学和科研工作，2015年获聘教授。长期从事光电材料及其原型器件研发，重点研究并调控界面的原子/离子/缺陷的运动及光电响应特性，先后在Advanced Materials, ACS Nano，Advanced Energy Materials, Applied Physics Letters等杂志发表SCI论文50多篇；申请国家发明专利4项，授权1项；主持国家自然科学基金面上项目、青年项目各一项；目前担任广东省真空学会理事；广东省分析测试协会表面分析专业委员会委员；2016年获中国分析测试协会科学技术（CAIA）奖一等奖（排名第二），2014年获高等学校科学研究优秀成果奖自然科学奖二等奖（排名第七）。

本团队现在凝聚态物理、物理电子学两个方向招生，欢迎有志于从事半导体纳米材料的制备、光电器件的开发的学生报考我们小组，具体情况可来信来电咨询。

主讲课程

《半导体物理》；《大学物理实验》；《近代物理实验》；《太阳能电池材料与技术》；《半导体器件》；《大学物理实验（全英）》；《医用物理实验》；《半导体材料与器件分析测试基础》

研究方向

1.氧化物半导体材料及光电器件的研制及表/界面物理；

2.有机/无机太阳能电池等半导体器件的研制及表/界面物理；

3.跨尺度结构及效能研究；

4.二维纳米材料；

5.真空电子技术；

6.半导体中的离子迁移研究；

科研/教改项目

科研项目

1.“二维氧化钼原子晶体的氢化机制及其场效应器件的光电特性研究”；

国家自然科学基金面上项目；批准号：11574119, 2016.01 - 2019.12，项目负责人

2.“钼、钨族二维层状金属氧化物的制备及其氢化过程研究”；

广东省自然科学基金面上项目；批准号：2014A030313381, 2014.10 - 2017.10，项目负责人

3.“二维金属氧化物的离子注入及光电特性研究”；

光电材料与技术国家重点实验室开放课题；2016.10-2017.12，项目负责人

4.“金属酞氰分子薄膜/金属氧化物薄膜异质界面的纳米结构、能级状态及载流子输运研究”；

国家自然科学基金青年科学基金项目，批准号：61106093，2012.01-2014.12，项目负责人

5.“碳纳米管表面处理场增强场致电子发射性能研究”；

国家自然科学基金面上项目，批准号：51072236, 2011.01-2013.12，合作单位负责人

6.“金属酞氰分子薄膜/金属氧化物薄膜界面的微纳结构及载流子输运研究”，

暨南大学科研培育与创新基金青年基金项目，批准号：21611350，2011.01-2011.12,项目负责人

7.“Interface Engineering for Organic Transistors: Materials, Fabrication, Characterization, and Application”，

香港研究资助局项目，No. CUHK02/CRF/08，2008-2011，主要研究人员

8.“Engineering Ferromagnetic Semiconductors at room temperature”，

香港研究资助局项目，No. N_CUHK447/07，2007-2009，主要研究人员

教改项目：

1.“南校区“大学物理实验”课程改革与实践”，暨南大学关于公布第十七批教学改革研究项目（实践教学专项）；批准号：JG2015053，2015.09-2016.08，项目负责人

2.“将科学前沿引入物理实验教学的探索和实践”, 暨南大学关于公布第十五批教学改革研究项目（实践教学专项）；批准号：JG2013052, 2013. 09-2014.09，项目负责人

学生培养

研究生培养：

2016届：

梁智敏：毕业论文《新型硅基异质结光伏器件的构建及性能研究》

            2015-2016年度广东省优秀学生（研究生阶段）；

            2015-2016年度暨南大学优秀毕业研究生；

            2015-2016年度暨南大学梁奇达暨南教育奖（全校仅2名）；

            毕业去向：潮汕三环集团

苏明泽：毕业论文《氧化亚铜的制备及其光电器件的制备》

            毕业去向：深圳龙岗中学

2015届：

欧阳明：毕业论文《有机小分子场效应器件的界面特性研究》

            毕业去向：信利电子有限公司

2014届：

赖   茜：毕业论文《拉曼光谱在二维纳米材料性质变化中的应用》

            毕业去向：中船集团707研究所

晏梦龙：毕业论文《二维金属氧化物纳米材料的制备和表征研究》

            毕业去向：湖北中国移动  

本科生培养：

2016届：

马泽娜：毕业论文《CH3NH3PbI3钙钛矿单晶薄膜的制备》

            毕业去向: 出国

2015届：

邱若谷：毕业论文《基于51单片机的温控系统设计》

            毕业去向：华南理工大学研究生

陈志荣：毕业论文《基于Keithley源表的气体传感测试系统的搭建》

            毕业去向：

2014届：

汪兴华：毕业论文《晶体氧化亚铜的制备方法研究》

            毕业去向：新疆支教

2013届：

邱键源：毕业论文《层状纳米氧化钼的制备及其结构研究》

            毕业去向：东莞三星视界有限公司

2012届：

植秀佳：毕业论文《碳纳米管的场致电子发射特性研究》

            毕业去向：华孚色纺股份有限公司，SAP工程师

研究成果

奖项：

1.“表面分析技术在先进能源材料研究中的若干应用”，2016年，中国分析测试协会科学技术（CAIA）奖—一等奖，中国分析测试协会，第二完成人

2.“石墨烯晶体管及其光电探测器的界面工程研究”2014年度高等学校科学研究优秀成果奖(科学技术) —自然科学奖二等奖，第七完成人

著作：

One-Dimensional Nanostructures: Principles and Applications, Chapter 15, Properties and Devices of Single One Dimensional Nanostructure: Applications of Scanning Probe Microscopy，John Wiley & Sons, 2013

代表性论文：

2017年：

1.Tiankai Zhang, Mingzhu Long, Keyou Yan, Minchao Qin, Xinhui Lu, Xiaoliang Zeng, Chi Man Cheng, Kam Sing Wong, Pengyi Liu, Weiguang Xie* and Jianbin Xu*, Crystallinity Preservation and Ion Migration Suppression through Dual Ion Exchange Strategy for Stable Mixed Perovskite Solar Cells,

Advanced Energy Materials. 2017, DOI: 10.1002/aenm.201700118, IF: 15.23

2.Yu Wang, Xiang Du, Jiming Wang, Mingze Su, Xi Wan, Hui Meng, Weiguang Xie*, Jianbin Xu*, and Pengyi Liu, Growth of Large-Scale, Large-Size, Few-Layered α-MoO3 on SiO2 and its Photoresponse Mechanism,

ACS Applied Materials & Interfaces, 9, 5543–5549 (2017) IF: 7.1

3.Zhimin Liang, Yu Wang, Mingze Su, Wenjie Mai, Jianbin Xu, Weiguang Xie*, Pengyi Liu*，Improving the Quality of the Si/Cu2O Interface by Methyl-Group Passivation and Its Application in Photovoltaic Devices，

Advanced Matreials Interfaces, 4, 2196-7350 (2017) IF:3.365

4.Xi Wan, Kun Chen*, Zefeng Chen, Fangyan Xie, Xiaoliang Zeng, Weiguang Xie, Jian Chen, and Jianbin Xu*, Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors

Advanced Functional Matererials, 1603998(2017)

2016年：

1.Tiankai Zhang, Mingzhu Long, Keyou Yan, Xiaoliang Zeng, Fengrui Zhou, Zefeng Chen, Xi Wan, Kun Chen, Pengyi Liu, Faming Li, Tao Yu, Weiguang Xie*, and Jianbin Xu*, Facet-Dependent Property of Sequentially Deposited Perovskite Thin Films: Chemical Origin and Self-Annihilation,

ACS Applied Materials & Interfaces, 8, 32366–32375(2016). IF: 7.1

2.Zhimin Liang, Pingyang Zeng, Pengyi Liu, Chuanxi Zhao*, Weiguang Xie*, and Wenjie Mai*, Interface Engineering To Boost Photoresponse Performance of Self-Powered, Broad-Bandwidth PEDOT:PSS/Si Heterojunction Photodetector,

  ACS Applied Materials & Interfaces, 8, 19158−19167(2016). IF: 7.1

3.Weiguang Xie, Mingze Su, Zebo Zheng, Yu Wang, Li Gong, Fangyan Xie, Weihong Zhang, Zhi Luo, Jianyi Luo, Pengyi Liu, Ningsheng Xu, Shaozhi Deng, Huanjun Chen* and Jian Chen*, Nanoscale Insights into the Hydrogenation Process of Layered a‑MoO3,

  ACS Nano, 20, 2663-2670(2016). IF: 12.9

4.Yangyang Zhou, Tiankai Zhang, Chunmei Li, Zhimin Liang, Li Gong, Jian Chen, Weiguang Xie*, Jianbin Xu* and Pengyi Liu*, Rapid growth of high quality perovskite crystal bysolvent mixing,

  CrystEngComm 18, 1184-1189 (2016). IF: 4.0

5.Mingze Su, Zhimin Liang, Chuanxi Zhao, Pengyi Liu, Song Yue , WeiguangXie*, Preparation of Highquality Cu₂O crystal and its opto-electronic properties,

  Materials Letters, 170,80-84(2016). IF:2.5

6.Keyou Yan,* Zhanhua Wei, Tiankai Zhang, Xiaoli Zheng, Mingzhu Long, Zefeng Chen, Weiguang Xie, Teng Zhang, Yuda Zhao, Jianbin Xu, Yang Chai,* and Shihe Yang*, Near-Infrared Photoresponse of One-Sided Abrupt MAPbI3/TiO2 Heterojunction through a Tunneling Process,

  Advanced Functional Materials 26, 8545–8554(2016)IF: 11.8

7.YubinXiao, HanWang, ShuangZhou, KeyouYan, WeiguangXie, ZhiqiangGuan, Sai-WingTsang, Jian-Bin Xu*, Efficient ternary bulk heterojunction solar cells with PCDTBT as hole-cascade material,

  Nano Energy, 19, 476–485(2016). IF: 11.5

8.Jinpeng Tian, Chuanxi Zhao, Mingxiao Wu, Weiguang Xie, Wenjie Mai, Pengyi Liu*, Thickness-dependence of S-shaped J–V curves of planar heterojunction organic solar cells containing NTCDA interlayer: Impedance–potential measurement and underlying mechanism,

  Solar Energy Materials & Solar Cells, 148, 39–43(2016), IF: 5.0

9.Tingting Liu, Hao Luo, Jun Ma, Weiguang Xie, Yan Wang and Guangyin Jing, Surface roughness induced cracks of the deposition film from drying colloidal suspension,

  The European Physical Journal E, 39, 24 (2016), IF: 1.6

2015年：

1.Zhimin Liang, Mingze Su, Hao Wang, Yuting Gong, Fangyan Xie, Li Gong, Hui Meng, Pengyi Liu, Huanjun Chen, Weiguang Xie*, and Jian Chen*, Characteristics of a silicon nanowires/PEDOT:PSS heterojunction and its effect on the solar cell performance,

  ACS Applied Materials & Interfaces, 7,5830-5836(2015). IF:6.9

2.Chuanxi Zhao,* Zhimin Liang, Mingze Su, Pengyi Liu, Wenjie Mai, and Weiguang Xie*，Self-Powered, High-Speed and Visible−Near Infrared Response of MoO3−x/n-Si Heterojunction Photodetector with Enhanced Performance by Interfacial Engineering,

  ACS Applied Materials & Interfaces, 7,25981-25990(2015). IF:6.9

3.Zhimin Liang, Mingze Su, Yangyang Zhou, Li Gong, Chuanxi Zhao, Keqiu Chen, Fangyan Xie, Weihong Zhang, Jian Chen, Pengyi Liua and Weiguang Xie*, Interaction at the silicon/transition metal oxide heterojunction interface and its effect on the photovoltaic performance,

  Physical Chemistry Chemical Physics, 17,27409-27413(2015). IF:4.5

4.X M Wang, H Tian, W G Xie (共同第一作者), Y Shu, M A Mohammad, J B Xu*, T L Ren*, Observation of giant two-dimensional band-piezoelectric effect on biaxial-strained graphene,

  NPG Asia Materials, 7, e154(2015). IF: 9.9

5.Xi Wan, Kun Chen, Weiguang Xie, Jinxiu Wen, Huanjun Chen, and Jian-Bin Xu* Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering,

  Small, 4, 438–445(2016). IF: 8.3

6.Kun Chen, Xi Wan, Weiguang Xie, Jinxiu Wen, Zhiwen Kang, Xiaoliang Zeng, Huanjun Chen, and Jianbin Xu*, Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2 –WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy,

  Advanced Materials, 27, 6431–6437(2015). IF: 18.9

7.Kun Chen, Xi Wan,Jinxiu Wen, Weiguang Xie, Zhiwen Kang, Xiaoliang Zeng,Huanjun Chen, and Jian-Bin Xu*, Electronic Properties of MoS2–WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy

  ACS Nano 9, 9868–9876(2015). IF: 12.8

2007-2014年：

1.X M Wang, J B Xu*, C L Wang, JDu, and W G Xie*, High-performance graphene devices on SiO2/Si substrate modified by highly ordered self-assembled monolayers,

  Advanced Materials, 23, 2464(2011). IF:：13.8

2.Y R Su, M Ouyang, P Y Liu, Z Luo, W G Xie*, J B Xu, Insights into the Interfacial Properties of Low-Voltage CuPc Field Effect Transistor,

  ACS Applied Materials & Interfaces, 5, 4960(2013). IF:：5.9

3.W G Xie, X M Wang, and J B Xu, Intermolecular coupling related electrical transport transition in vanadyl-phthalocyanine (VOPC) molecular bilayers,

  Journal of Physical Chemistry C, 116, 17580(2012). IF:4.8

4.W G Xie, J B Xu, J An, K Xue, Correlation between molecular packing and surface potential at vanadyl phthalocyanine/HOPG interface,

  Journal of Physical Chemistry C, 114, 19044(2010). IF:4.8

5.X Lai, M L Yan, X H Liu, J Y Luo, G R Tang, F Y Xie, J Chen, P Y Liu, S Di, W G Xie*, Q L Chen, Investigation of hydrogen interaction with Pt-coated tungsten oxide hydrate nanoplates,

  Materials Research Express, 1, 025044(2014).

6.W G Xie, X Lai, X M Wang, X Wan, M L Yan, W J Mai, P Y Liu, J Chen, J B Xu, Influence of Annealing on Raman Spectrum of Graphene in Different Gaseous Environments,

  Spectroscopy Letters, 47, 465(2014). IF:：0.7

7.W G Xie, F Y Xie X L Y, K Xue, J B Xu, J Chen, and R Zhang, Co doped ZnO(0001)-Zn by diffusion method and its magnetic properties,

  Applied Physics Letters 95, 262506(2009).

8.W G Xie, Jian Chen, Jun Chen, W W Ming, S Z Deng, and N S Xu, Study on effect of hydrogen treatment on amorphous carbon film using scanning probe microscopy,

  Ultramicroscopy, 109, 451(2009).

9.W G Xie, Jian Chen, W W Ming, Jun Chen, J Zhou, S Z Deng, and N S Xu, Preparation and field emission property of nanodiamond-cluster -embedded diamond like carbon film,

  Journal of Vacuum Science & Technology B, 26, 1321(2008).

10.W G Xie, Jun Chen, Jian Chen, S Z Deng, J C She and N S Xu, Effect of hydrogen treatment on the field emission of amorphous carbon film,

  Journal of Applied Physics, 101, 084315(2007).

11.X M Wang, W G Xie, J Chen, J B Xu, Homo- and Hetero- p-n junctions formed on graphene steps,

  ACS Applied Materials & Interfaces, 6, 3-8(2014). IF:5.9

12.X M Wang , W G Xie and J B Xu，Graphene Based Non-Volatile Memory Devices,

  Advanced. Materials. 26, 5496(2014). IF:15.4

13.Y R Su, W G Xie, Y Li, Y Shi, N Zhao and J B Xu, A low-temperature, solution-processed high-k dielectric for low-voltage, high-performance organic field-effect transistors (OFETs),

  Journal of Physics D: Applied Physics, 46, 095105(2013)

14.X M Wang, W G Xie, J Du, C L Wang, N Zhao and J B Xu, Graphene/Metal Contacts: Bistable states and novel memory devices,

  Advanced Materials, 24, 2614 (2012). IF:15.4

15.X Wan, K Chen, J Du, D Q Liu, J Chen, X Lai, W G Xie, and J B Xu, Enhanced performance and Fermi-Level estimation of Coronene-derived graphene transistors on self-assembled monolayer modified substrates in large areas,

  Journal of Physical Chemistry C , 117, 4800-4807 (2013). IF:4.8

16.Y R Su, M D Wang, F Y Xie, J Chen, W G Xie, N Zhao and J B Xu, In situ modification of low-cost Cu electrodes for high-performance low-voltage pentacene thin film transistors (TFTs),

  Organic Electronics, 14, 775(2013)

17.K Chen, X Wan, D Q Liu, Z W Kang, W G Xie, J Chen, Q Miao, J B Xu，Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperature,

  Nanoscale, 5, 5784-5793(2013)

18.Y R Su, J L Jiang, N Ke, N Zhao, W G Xie and J B Xu, Low-voltage flexible pentacene thin film transistors with a solution-processed dielectric and modified copper source–drain electrodes,

  Jounal of Materials Chemistry C, 1, 2585(2013)

19.Y R Su,C L Wang, W G Xie, F Y Xie, J Chen, N Zhao, J B Xu, Low-voltage organic field-effect transistors with solution-processed metal-oxide as gate dielectric, ACS Applied Materials & Interfaces, 3, 4662(2011). IF:5.9

20.X M Wang, J B Xu,W G Xie, and J Du, Quantitative Analysis of Graphene Doping by Organic Molecular Charge Transfer,

  Journal of Physical Chemistry C, 115, 7596(2011). IF:4.8

21.X Q Tian, J B Xu, and W G Xie, Controllable modulation of electronic structure of ZnO(10-10) surface by carboxylic acids,

  Journal of Physical Chemistry C 114, 3973(2010). IF:4.8

代表性工作简介

研究特色：

1. 界面结构及光电性质调控；

2. 纳米尺度的物理性质研究；

图1：基于扫描探针技术的多尺度物理性质研究

代表工作一：跨尺度原位揭示氢注入光电响应机制

研究团队实现了MoO₃氢气传感过程中宏、微观结构和光电特性的跨尺度、实时测量，对氢气传感中光、电性质转变的起源给出了判定性实验。该文章发表在ACS Nano(IF=12.8)。

代表工作二：Mo、W、V族二维氧化物及原子晶体的制备及性质

研究团队制备了钼、钨和钒族氧化物材料及其二维原子晶体，并系统研究了材料在光电转换器件中的特性，系列成果发表ACS Appl. Mater. Interfaces（IF=7.1）2篇，Adv. Mater. Interfaces（IF=3.4)1篇和PCCP（IF=4.4）1篇

代表工作三：钙钛矿太阳电池的离子交换调控

研究团队采用双离子交换法，同时实现了钙钛矿材料的带宽调控和结构修复，获得了稳定、高效的钙钛矿薄膜太阳电池。文章发表在Advanced Energy Materials（IF=15.2)。

代表工作-四：硅异质结光伏器件

研究团队通过界面甲基化抑制界面氧化/还原反应；提高了光伏、光探测器件的效率和稳定性；相关成果发表ACS Appl. Mater. Interfaces（IF=7.1）2篇