物理与光电工程学院物理学系唐振方副教授和侯林涛研究员共同指导的硕士生温学妙在《Applied Physics Letters》（物理学TOP期刊）发表以“Solution-processed small-molecular organic memristor with a very low resistive switching set voltage of 0.38 V”为题的研究成果。温学妙、唐文炜为共同第一作者，唐振方副教授和侯林涛研究员为共同通讯作者，合作单位有华南理工大学。

 图1. 论文首页

  忆阻器作为电路四大基础元器件之一，具有制备简单，性能多样，存储信息速度快且稳定优点，尤其是理论极限尺寸极小，因而被认为下一代存储技术。相比传统的无机忆阻器，有机忆阻器材料广泛，制造成本低廉。本工作通过溶液法制备了超低功率损耗的小分子卟啉有机忆阻器，详细研究了不同功能层作用，揭示了氧离子配位迁移忆阻工作机制，对该领域发展具有重要的参考作用。

 图2. 有机忆阻器性能

 图3. 高低阻情况下器件内部形貌及元素分布

 图4. 有机忆阻器工作机制

  该工作得到广东省基础与应用基础研究联合基金重点项目（2019B090921002）、国家自然科学基金项目（61774077、52173162）的资助。

论文链接：https://doi.org/10.1063/5.0147149